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STTH810DI中文资料

STTH810DI图片

STTH810DI外观图

  • 大小:188.8KB
  • 厂家:STMicroelectronics
  • 描述: DIODE, ULTRAFAST, 8A, 1000V; Diode Type:Fast Recovery; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1kV; Forward Current If(AV):8A; Forward Voltage VF Max:1.3V; Reverse Recovery Time trr Max:47ns; Forward Surge Current Ifsm Max:60A; Diode Case Style:TO-220; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current If @ Vf:8A; Current Ifsm:100A; Forward Voltage:1.3V; Junction Temperature Tj Max:175°C; Package / Case:TO-220ins; Reverse Recovery Time trr Typ:47ns; Reverse Voltage Vr Max:1kV; Termination Type:Through Hole; Current Ir Max:5μA
  • 其它有关文件:STTH810 View All Specifications
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:单二极管/整流器
  • 系列:-
  • 二极管类型:标准
  • 电压 - (Vr)(最大):1000V(1kV)
  • 电流 - 平均整流 (Io):8A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):2V @ 8A
  • 速度:快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr):85ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电:5µA @ 1000V
  • 电容@ Vr, F:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:497-5163-5

STTH810DI供应商

更新时间:2023-01-08 14:29:10
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